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[发明专利]一种太阳电池及其制备方法-CN202310092732.7在审
发明人：石鑫鑫;黄智 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域，太阳电池包括：硅基体；减反膜，减反膜附着于硅基体，所述减反膜包括至少一层膜本体，减反膜中至少有一层膜本体为掺磷减反膜；电极，电极穿透减反膜与硅基体形成欧姆接触，且电极和硅基体接触的部位形成含磷的银硅合金；通过在减反膜中掺入磷，磷的加入不会影响减反膜的折射率和反射率，在栅线区在印刷电极浆料后，电极浆料会在烧结过程中刺穿减反膜，此时减反膜中的磷被烧结进银硅合金中，相当于是提高了硅基体中的磷浓度，提升了银硅合金欧姆接触，导致接触电阻降低。
一种太阳电池及其制备方法

[实用新型]一种低反射率晶体硅太阳能电池-CN201520622371.3有效
发明人：石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低反射率晶体硅太阳能电池，包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层和Ag正电极，所述Al背场、P型硅和N+层依次层叠式设置，所述Ag正电极与N+层之间设有第一减反薄膜和第二减反薄膜，第一减反薄膜设有由若干个纳米孔形成的纳米陷光结构，第一减反薄膜覆盖在N+层上表面,第二减反薄膜覆盖在第一减反薄膜上表面和纳米孔内，第二减反薄膜覆盖在第一减反薄膜上表面形成复合减反薄膜，Ag正电极穿透第一减反薄膜和第二减反薄膜与N+层欧姆接触。与现有技术相比，本实用新型具有减少了硅表面的载流子复合速率、降低反射率的同时保证了减反膜的钝化效果，可以大大提高电池的转换效率的优点。
一种反射率晶体太阳能电池

[发明专利]减反膜的制备方法、减反膜、压印模板和显示面板-CN202310315071.X在审
发明人：刘桂琪;张萌;杜凌霄;张欢欢;邓磊磊;王林松 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B1/111 文献下载
摘要：本申请提供了一种减反膜的制备方法、减反膜、压印模板、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，解决了减反膜的制备工艺复杂、难以控制、良率低，成本高昂的问题。该方法包括：在第一基板上沉积非晶硅层；对非晶硅层进行激光退火，得到多晶硅层，多晶硅层包括晶界凸起，晶界凸起限定出彼此独立的多个凹槽；获取压印膜，并利用多晶硅层对压印膜进行压印，得到减反膜，其中，减反膜包括多个第一凸起该方法通过激光退火得到多晶硅层，有利于提高多晶硅层中晶界凸起的均匀性，进而提高了减反膜中第一凸起的均匀性，从而提高了显示面板对比度的均匀性，实现了可控、高效、低成本地制备良率高的减反膜的目的。
减反膜制备方法压印模板显示面板

[发明专利]太阳能电池及其制备和光伏组件-CN202211002855.9在审
发明人：武禄;陈皓;杨苗;曲铭浩;徐希翔 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：太阳能电池包括：硅基底、正面钝化减反层、局部钝化接触结构、层叠设置的背面本征钝化层和背面掺杂层、正面电极、背面电极；局部钝化接触结构和正面钝化减反层，共同覆盖硅基底的向光面，且沿着与背面掺杂层和背面电极的层叠方向垂直的方向，局部钝化接触结构和正面钝化减反层，在硅基底的向光面上交替分布；层叠设置的背面本征钝化层和背面掺杂层，位于硅基底的背光面；正面电极位于所述局部钝化接触结构上；背面电极与背面掺杂层电连接。局部钝化接触结构可有效抑制接触复合和表面复合，由正面钝化层、正面减反层覆盖硅基底，减少了寄生性吸收，钝化减反效果好。
太阳能电池及其制备组件

[发明专利]一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法-CN201110301363.5无效
发明人：周艺;欧衍聪;黄岳文;何文红;郭长春;肖斌;黄燕;李荡 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2011-10-08 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于晶硅太阳电池技术领域，具体涉及一种改良的多晶硅太阳电池三层SiN减反膜的制备方法。传统方法采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出的单层SiN减反膜的钝化效果、减反效果及光谱吸收都不能达到最佳。本发明采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）创新性地在多晶硅表面沉积三层不同折射率（其中n内>n中>n外）的SiN减反膜。用此制备方法制备的三层SiN减反膜钝化效果佳，减反效果好，短波区的光谱吸收提高。与传统的单层SiN减反膜工艺相比较，该方法制备出的三层SiN减反膜能有效提高多晶硅太阳电池的光电性能，其中短路电流提高了100mA，光电转换效率提高了1.34%。
一种改良多晶太阳电池三层 sin 减反膜制备方法

[实用新型]一种N型双面太阳能电池-CN201821947099.6有效
发明人：赫汉;葛祖荣 -专利权人：浙江昱辉阳光能源江苏有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种N型双面太阳能电池，包括N型晶体硅层，N型晶体硅层的正面设置一层p+型晶体硅层，p+型晶体硅层的正面镀膜形成一层保护膜，保护膜的正面镀膜形成第一钝化减反膜，第一钝化减反膜的正面设置有正电极；N型晶体硅层的背面设置重掺杂的N+背场层，N+背场层的背面镀膜形成第二钝化减反膜，第二钝化减反膜的背面设置有负电极本实用新型电池结构紧凑，制作工艺简单，成本低廉，有效提高了电池效率。
钝化镀膜本实用新型背面设置晶体硅层正面设置保护膜背场层双面太阳能电池电池结构电池效率制作工艺负电极正电极重掺杂紧凑背面

[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法-CN201910779816.1在审
发明人：马玉超;李宏伟;单伟;何胜;徐伟智 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请公开了一种太阳能电池，包括硅衬底；位于硅衬底的第一表面的扩散层；位于扩散层背离硅衬底的表面的第一钝化层；位于第一钝化层背离扩散层的表面的氮氧化硅层；位于氮氧化硅层背离第一钝化层的表面的减反层；位于减反层背离氮氧化硅层的表面的第一电极；位于硅衬底的第二表面的隧穿层；位于隧穿层背离硅衬底的表面的掺杂多晶硅层；位于掺杂多晶硅层背离隧穿层的表面的第二钝化层；位于第二钝化层背离掺杂多晶硅层的表面的第二电极。本申请的太阳能电池设有氮氧化硅层，与减反层共同作用，氮氧化硅层不仅具有钝化效果，增强对扩散层的钝化，还具有减反射特性，增强减反增透效果，提升电池转换效率。本申请还提供一种具有上述优点的制备方法。
氮氧化硅层背离钝化层硅衬底扩散层掺杂多晶硅层太阳能电池减反层隧穿层制备申请电池转换效率减反射特性第二表面第二电极第一表面第一电极钝化效果增透效果钝化

[发明专利]一种硅基薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201510016155.9在审
发明人：彭长涛;洪承健;杨少飞;陈何辉;孙培根;张津燕;徐希翔;李沅民 -专利权人：福建铂阳精工设备有限公司
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅基薄膜太阳能电池，包括：导电玻璃基板、减反散射层和发电层；所述减反散射层设置在所述导电玻璃基板上，并靠近所述导电玻璃基板的导电薄膜的一侧；所述发电层设置在所述减反散射层上；通过所述减反散射层的设置，能够减小硅基薄膜太阳能电池各层界面反射光，进而避免在玻璃基板表面形成色差；本申请还提供一种硅基薄膜太阳能电池的制备方法。
一种薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种减反层及利用该减反层改善太阳能电池组件色差的方法-CN201610147756.8有效
发明人：缪清;刘梦影;陈守辉;杨慧敏 -专利权人：江苏新源太阳能科技有限公司
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种减反层，该减反层的折射率n介于TCO与i层之间，本发明同时公开了利用该减反层改善太阳能电池组件色差的方法，步骤包括(1)在TCO上采用化学气相沉积的方法制备沉积具有减反作用的p1层，即减反层；(2)在p1层之后，制备非晶硅/非晶硅锗单结或多结电池。本发明非晶硅太阳能电池具有减反作用的p1层的制备方法简单，可广泛应用于光伏建筑中，表面美观，给非晶硅太阳能组件带来独特的市场优势。
一种减反层利用改善太阳能电池组件色差方法

[实用新型]一种高效晶硅太阳能电池-CN201520792590.6有效
发明人：方结彬;秦崇德;石强;黄玉平;何达能;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效晶硅太阳能电池，其特征在于，包括正电极、N型硅、P型硅衬底、铝背场和背电极，N型硅、P型硅衬底和铝背场自上而下依次层叠式设置，所述P型硅衬底上下表面均为抛光面，N型硅上表面层叠有氧化层和减反膜，氧化层位于N型硅与减反膜之间，氧化层表面为绒面。与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：P型硅衬底上下表面均为抛光面，具有能得到均匀性好的PN结的优点；N型硅上表面层叠有氧化层和减反膜，氧化层位于N型硅与减反膜之间，氧化层表面为绒面，绒面设在氧化层表面而不是直接做在硅表面
一种高效太阳能电池

[发明专利]一种背结晶硅电池及其制备方法-CN202110445224.3在审
发明人：张树德;刘玉申;况亚伟;赵保星;符欣;连维飞;倪志春 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种背结晶硅电池及其制备方法，所述背结晶硅电池包括：P型硅片、正面钝化减反层、正面金属栅线；其中，所述正面钝化减反层形成在所述P型硅片的正面上，所述正面金属栅线为周期性的分段结构，单个周期的分段结构包括铝电极和正面银电极，其中，所述铝电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述P型硅片接触，所述正面银电极形成于所述正面钝化减反层上并与所述铝电极搭接接触。本发明的背结晶硅电池无需复杂的局部重掺步骤，也无需高温的硼扩；而且银电极的遮光面积小，从而提高硅片的光吸收效率。
一种结晶电池及其制备方法

[发明专利]一种晶硅太阳能电池梯度折射率减反膜及其制备方法-CN201210426609.6有效
发明人：赵保星;易臻希;谢于柳 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅太阳能电池梯度折射率减反膜，该梯度折射率减反膜设置于晶硅太阳能电池硅基衬底上；所述梯度折射率减反膜上设有玻璃EVA封装膜；所述梯度折射率减反膜由下自上包括第一层薄膜，第二层薄膜和第三层薄膜本发明梯度折射率减反膜折射率在膜厚方向上按照三次方关系梯度变化；折射率变化趋势由三层具有特定折射率的膜层体现；三层具有特定折射率的膜层均由同一材料组成；三层膜层的折射率和厚度采取控制物理气相沉积的靶面与硅片表面夹角该梯度折射率减反膜具有宽光谱、光角谱减反射效果，且制备方法简单易于工业化生产。
一种太阳能电池梯度折射率减反膜及其制备方法

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制备方法-CN201610947227.6有效
发明人：任明冲;谷士斌;何延如;王进;杨荣;李立伟;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种硅异质结太阳能电池及其制备方法。制备方法包括非晶硅层形成步骤在硅片的正面和背面均沉积非晶硅，形成非晶硅层；透明导电膜层形成步骤在硅片正面和背面的非晶硅层表面沉积透明导电膜，形成透明导电膜层；电极形成步骤在硅片的正面和背面的透明导电膜层表面形成电极；焊带焊接步骤将焊带焊接到电极的主栅线上；减反膜层形成步骤在硅片的正面，和/或背面的电极表面沉积减反膜，形成减反膜层。基于该方法，本发明无需额外制备镂空模具，因而可以简化工艺，从而降低成本；此外，可以在硅片的正面和/或背面的整版位置制备减反膜层，大大增加了电池的减反面积，进而可以提高电池的发电效率。
一种硅异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]N型双面电池结构-CN201710054760.4在审
发明人：李华;鲁伟明 -专利权人：泰州乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种N型双面电池结构，包括基体，基体为N型，基体的正面为掺硼的发射极，发射极上沉积有第一减反钝化膜，第一减反钝化膜上有正面电极，正面电极穿透第一减反钝化膜与发射极形成欧姆接触；基体的背面生长一层薄膜，即隧穿氧化层，隧穿氧化层上设有掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层上沉积有第二减反钝化膜，第二减反钝化膜上设置有背面电极，背面电极穿透第二减反钝化膜与掺杂多晶硅层形成欧姆接触；该种N型双面电池结构，通过在表面设置隧穿氧化层
双面电池结构

[实用新型]N型双面电池结构-CN201720094304.8有效
发明人：李华;鲁伟明 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型提供一种N型双面电池结构，包括基体，基体为N型，基体的正面为掺硼的发射极，发射极上沉积有第一减反钝化膜，第一减反钝化膜上有正面电极，正面电极穿透第一减反钝化膜与发射极形成欧姆接触；基体的背面生长一层薄膜，即隧穿氧化层，隧穿氧化层上设有掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层上沉积有第二减反钝化膜，第二减反钝化膜上设置有背面电极，背面电极穿透第二减反钝化膜与掺杂多晶硅层形成欧姆接触；该种N型双面电池结构，通过在表面设置隧穿氧化层
双面电池结构

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